Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorНовосядлый, С.П.
dc.date.accessioned2018-07-15T11:30:41Z
dc.date.available2018-07-15T11:30:41Z
dc.date.issued1998
dc.description.abstractРазработана технология изготовления КЭС для биполярных интегральных схем без автолегирования и смещения скрытого слоя.uk_UA
dc.description.abstractThe manufacturing technology of silicon epitaxial structure of bipolar integrated circuits without autodoping and bias of buried layer has been developed.uk_UA
dc.identifier.citationТехнология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 23-25. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140778
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессыuk_UA
dc.titleТехнология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структурuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
12-Novosyadly.pdf
Розмір:
101.51 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструиров. в электронной аппаратуре, 1998, № 3-4