Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии
dc.contributor.author | Егоров, С.Г. | |
dc.contributor.author | Червоный, И.Ф. | |
dc.contributor.author | Воляр, Р.Н. | |
dc.date.accessioned | 2016-03-08T20:58:02Z | |
dc.date.available | 2016-03-08T20:58:02Z | |
dc.date.issued | 2009 | |
dc.description.abstract | Исследован процесс выращивания монокристаллов кремния способом индукционной бестигельной зонной плавки с применением подогревающего индуктора. При помощи математического моделирования установлены параметры электромагнитного поля подогревающего индуктора и определены условия, при которых электромагнитное поле подогревающего индуктора оказывает влияние на условия выращивания монокристаллов. | uk_UA |
dc.description.abstract | Process of growing single crystals of silicon by the method of induction crucible-free zonal melting with use of preheating inductor was investigated. Using the mathematical modeling, the parameters of electromagnetic field of phreheating inductor were established and conditions, at which the electromagnetic field of preheating inductor has an influence on the conditions of single crystal growing, were defined. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии / С.Г. Егоров, И.Ф. Червоный, Р.Н. Воляр // Современная электрометаллургия. — 2009. — № 3 (96). — С. 36-39. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 0233-7681 | |
dc.identifier.udc | 669.187.58 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96009 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Современная электрометаллургия | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Вакуумно-индукционная плавка | uk_UA |
dc.title | Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии | uk_UA |
dc.title.alternative | Mathematical model of inductor field effect on coefficient of impurity distribution in silicon | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: