Регулювання параметрів біполярних імпульсних струмів у навантаженні напівпровідникових електророзрядних установок із накопичувальним конденсатором

Abstract

Запропоновано метод регулювання параметрів розрядних імпульсних струмів (зменшення їхньої тривалості та збільшення амплітуди й швидкості наростання) напівпровідникових електророзрядних установок зі зворотним зв'язком за напругою з метою інтенсифікації динамічного силового впливу на їхнє технологічне навантаження. Метод базується на використанні двох пар зарядних і розрядних напівпровідникових (тиристорних) ключів, що дозволяють формувати у навантаженні біполярні імпульсні струми, та реалізації накладання процесів наступного заряду конденсатора на попередній його розряд шляхом змінення часу включення відповідних пар зарядних тиристорів. На основі проведеного аналізу взаємозв'язаних перехідних процесів у розгалуженому електричному колі змінної структури таких установок визначено залежності коефіцієнтів підвищення зарядної напруги та зарядного і розрядного струмів конденсатора від коефіцієнта перекриття його заряду і розряду при різних значеннях добротності зарядного кола.

Предложен метод регулирования параметров разрядных импульсных токов (уменьшения их длительности и увеличения амплитуды и скорости нарастания) полупроводниковых электроразрядных установок с обратной связью по напряжению с целью интенсификации динамического силового воздействия на их технологическую нагрузку. Метод базируется на использовании двух пар зарядных и разрядных полупроводниковых (тиристорных) ключей, которые позволяют формировать в нагрузке биполярные импульсные токи, и реализации наложения процессов последующего заряда конденсатора на предыдущий его разряд путем изменения времени включения соответствующих пар зарядных тиристоров. На основе проведенного анализа взаимосвязанных переходных процессов в разветвленной электрической цепи изменяемой структуры таких установок определены зависимости коэффициентов повышения зарядного напряжения, а также зарядного и разрядного токов конденсатора от коэффициента перекрытия его заряда и разряда при разных значениях добротности зарядной цепи.

The method for regulating the parameters of discharge pulse currents (reducing their duration and increasing the amplitude and rate of current rise) of semiconductor electro-discharge installations with voltage feedback in order to intensify the dynamic force action on their technological load is proposed. The method is based on the use of two pairs of charge and discharge semiconductor (thyristor) switches, which allow to form a bipolar pulsed current in the load and implement the overlay of subsequent capacitor charge to its previous discharge by varying the switching time of the corresponding pairs of charge thyristors. On the basis of performed analysis of the interrelated transients in the branched electrical circuit with variable structure in such installations the dependences of increasing ratios of the charge voltage, charge and discharge currents of the capacitor on the overlap ratio capacitors charge and discharge for different charging circuit Q values are determined.