Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКасимов Ф.Д.
dc.date.accessioned2014-11-11T06:26:42Z
dc.date.available2014-11-11T06:26:42Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractПоказано, что одновременное выращивание локальных пленок поли- и монокристаллического кремния легло в основу развития микроэлектронной негатроники - нового направления функциональной электроники. Сочетание в едином кристалле чувствительных элементов и аналогов негатронов позволяет создавать микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин с передачей сигналов на расстояние. Изложен взгляд на перспективы использования микроэлектронной негатроники, в том числе бионегатроники.uk_UA
dc.identifier.citationПерспективы развития и применения микроэлектронной негатроники / Ф.Д. Касимов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 5. — С. 5-8. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621. 315.592
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70687
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехническая политикаuk_UA
dc.titleПерспективы развития и применения микроэлектронной негатроникиuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
02-Kasimov.pdf
Розмір:
250.83 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 5