Ізотермічний переріз діаграми стану системи Ti—Al—Ga при 850 °С
dc.contributor.author | Білявина, Н.М. | |
dc.contributor.author | Наконечна, О.І. | |
dc.contributor.author | Курилюк, А.М. | |
dc.contributor.author | Макара, В.А. | |
dc.date.accessioned | 2020-07-20T14:39:59Z | |
dc.date.available | 2020-07-20T14:39:59Z | |
dc.date.issued | 2020 | |
dc.description.abstract | В повному концентраційному інтервалі методом електродугової плавки виготовлені сплави подвійних базисних систем Ti—Al і Ti—Ga, а також сплави потрійної системи Ti—Al—Ga. З використанням методу рентгенівської порошкової дифрактометрії вивчено фазовий склад відпалених при 850 °С сплавів, в результаті чого підтверджено літературні відомості про існування при температурі відпалу сплавів чотирьох алюмінідів титану (Ti₃Al, TiAl, r-TiAl₂, TiAl₃), восьми галідів титану (Ti₃Ga, Ti₂Ga, Ti₅Ga₃, Ti₅Ga₄, TiGa, Ti₂Ga₃, TiGa₂ й TiGa₃), а також показана відсутність утворення потрійних сполук. Встановлено, що ізоструктурні сполуки TiAl—TiGa, TiAl₂—TiGa₂ та TiAl₃—TiGa₃ утворюють в системі Ti—Al—Ga неперервні ряди твердих розчинів, а на основі подвійних галідів Ti₂Ga₃, Ti₅Ga₄ та Ti₂Ga існують обмежені тверді розчини, області гомогенності яких витягнені до 15, 6 і 10 ат. % Al відповідно. Неперервні ряди твердих розчинів Ti(Al,Ga)₃, Ti(Al,Ga)₂, Ti(Al,Ga), обмежені тверді розчини Ti₂(Ga,Al)₃, Ti₅(Ga,Al)₄, Ti₂(Ga,Al), подвійні сполуки Ti₃Al, Ti₃Ga та твердий розчин на основі α-Ti (до 15 ат. % Al/Ga) формують фазові поля, з урахуванням яких в повному концентраційному інтервалі побудовано ізотермічний переріз діаграми стану системи Ti—Al—Ga при 850 °С. | uk_UA |
dc.description.abstract | Alloys of the Ti—Al and Ti—Ga binary systems, as well as alloys of the Ti—Al—Ga ternary system, are obtained by the arc melting, annealed at 850 °С, and studied by the X-ray powder diffraction method. As a result, the existence of four binary aluminides (Ti₃Al, TiAl, r-TiAl₂, TiAl₃) and eight binary galides (Ti₃Ga, Ti₂Ga, Ti₅Ga₃, Ti₅Ga₄, TiGa, Ti₂Ga₃, TiGa₂, TiGa₃) at 850 °С is confirmed It is shown that ternary compounds are not formed through the titanium, aluminum, and gallium interaction. TiAl—TiGa, TiAl₂—TiGa₂, and TiAl₃—TiGa₃ isostructural compounds form continuous solid solutions in the Ti—Al—Ga system, while Ti₂Ga₃, Ti₅Ga₄, and Ti₂Ga binary galides form extended solid solutions up to 15, 6, and 10 at. % Al, respectively. Following phases are the equilibrium ones in the system: continuous Ti(Al,Ga)₃, Ti(Al,Ga)₂, Ti(Al,Ga) solid solutions, extended Ti₂(Ga,Al)₃, Ti₅(Ga,Al)₄, Ti₂(Ga,Al) solid solutions, binary Ti₃Al, Ti₃Ga compounds, as well as the solid solution of the base of α-Ti metal (up to 15 at.% Al/Ga). As a result of this study, the isothermal section (850 °С) of the Ti—Al—Ga system is constructued in the full concentration range. | uk_UA |
dc.description.abstract | В полном концентрационном интервале методом электродуговой плавки изготовлены сплавы двойных базисных систем Ti—Al и Ti—Ga, а также сплавы тройной системы Ti—Al—Ga. С использованием метода рентгеновской порошковой дифрактометрии изучен фазовый состав отожженных при 850 °С сплавов, в результате чего подтверждены литературные сведения о существовании при температуре отжига сплавов четырех алюминидов титана (Ti₃Al, TiAl, r-TiAl₂, TiAl₃), восьми галидов титана (Ti₃Ga, Ti₂Ga, Ti₅Ga₃, Ti₅Ga₄, TiGa, Ti₂Ga₃, TiGa₂ и TiGa₃), а также показано отсутствие образования в системе тройных соединений. Установлено, что изоструктурные соединения TiAl—TiGa, TiAl₂—TiGa₂ и TiAl₃—TiGa₃ образуют в системе Ti-Al-Ga непрерывные ряды твердых растворов, в то время как на основе двойных галидов Ti₂Ga₃, Ti₅Ga₄ и Ti₂Ga существуют ограниченные твердые растворы, области гомогенности которых вытянуты до 15, 6 и 10 ат. % Al соответственно. Непрерывные ряды твердых растворов Ti(Al,Ga)₃, Ti(Al,Ga)₂, Ti(Al,Ga), ограниченные твердые растворы Ti₂(Ga,Al)₃, Ti₅(Ga,Al)₄, Ti₂(Ga,Al), двойные соединения Ti₃Al, Ti₃Ga и твердый раствор на основе α-Ti (до 15 ат.% Al/Ga) формируют фазовые поля, с учетом которых в полном концентрационном интервале построено изотермическое сечение диаграммы состояния системы Ti—Al— Ga при 850 °С. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Ізотермічний переріз діаграми стану системи Ti—Al—Ga при 850 °С / Н.М. Білявина, О.І. Наконечна, А.М. Курилюк, В.А. Макара // Доповіді Національної академії наук України. — 2020. — № 6. — С. 30-36. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 1025-6415 | |
dc.identifier.other | DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2020.06.030 | |
dc.identifier.udc | 538.911; 539.261; 544.344.015.35; 546.82; 546.62; 546.681. | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/170621 | |
dc.language.iso | uk | uk_UA |
dc.publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Доповіді НАН України | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Матеріалознавство | uk_UA |
dc.title | Ізотермічний переріз діаграми стану системи Ti—Al—Ga при 850 °С | uk_UA |
dc.title.alternative | Isothermal section of the Ti-Al-Ga system at 850 °С | uk_UA |
dc.title.alternative | Изотермическое сечение диаграммы состояния системы Ti-Al-Ga при 850 °С | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 07-Belyavina.pdf
- Розмір:
- 233.85 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: