Питома електропровідність композиційних нагрівачів на основі графіту для НТНР вирощування алмазу

Abstract

Вирощування монокристалів алмазу в області термодинамічної стабільності (НТНР вирощування) потребує стабільних температурних параметрів кристалізації за високого тиску (до 6– 6,5 ГПа). Для забезпечення відповідних умов слід контролювати властивості матеріалів, що становлять електричний ланцюг нагрівання, Запропоновано та випробувано два методи визначення електропровідності, що різняться принципами взаємодії зі зразками. Визначено питому електропровідність композиційних нагрівачів ростових комірок високого тиску та розподіл питомого опору в нагрівальних елементах.

Выращивание монокристаллов алмаза в области термодинамической стабильности (НТНР выращивания) требует стабильных температурных параметров кристаллизации при высоком давлении (6–6,5 ГПа). Для обеспечения соответствующих условий следует контролировать свойства материалов, составляющих электрическую цепь нагрева. Предложены и испытаны два метода определения электропроводности, различающиеся принципами взаимодействия с образцами. Определены удельная электропроводность композиционных нагревателей ростовых ячеек высокого давления и распределение удельного сопротивления в нагревательных элементах.

Growing of diamond crystal has needed stable temperature parameters in condition of thermodynamic stability of diamond at high pressures and temperatures (HTHP growing). It has needed to control properties of material to involve in heating circuit. It has ensured necessary conditions for the crystallization process. It had been proposed and tested two methods for determining electrical conductivity, characterized by the principle of interaction models. It has determined conductivity of composite heater cells grown under high pressure, and also the resistivity distribution in the heating elements.