Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБуджак, Я.С.
dc.contributor.authorНовосядлый, С.П.
dc.date.accessioned2018-07-15T11:48:25Z
dc.date.available2018-07-15T11:48:25Z
dc.date.issued1998
dc.description.abstractРазработана технология формирования тонкопленочных конденсаторов на основе базовых слоев β-тантала ионным распылением танталовой мишени при одновременном легировании элементами Iб, IIб, III, IV, Vа, VIа, VIIа, VIIIа Периодической системы. Такие тонкопленочные элементы конденсаторов могут быть использованы при формировании структур активных RC-фильтров и динамических оперативных запоминающих устройств произвольной выборки.uk_UA
dc.identifier.citationФормирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала / Я.С. Буджак, С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 62. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140787
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectДепонированные рукописиuk_UA
dc.titleФормирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-танталаuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
21-Budzhak.pdf
Розмір:
75.57 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструиров. в электронной аппаратуре, 1998, № 3-4