Saddle point excitonic resonances in BiI3 layered single crystals

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKudryavtsev, O.O.
dc.contributor.authorLisitsa, M.P.
dc.contributor.authorMotsnyi, F.V.
dc.contributor.authorVirko, S.V.
dc.date.accessioned2017-06-11T13:59:14Z
dc.date.available2017-06-11T13:59:14Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractExcitonic resonances near the critical saddle point of M₁ sort by van Hove have been revealed for the first time in the BiI₃ layered semiconductor. Their main parameters are estimated.uk_UA
dc.description.sponsorshipThe authors are grateful to O.S. Sergeev for his assistance in RS measurements.uk_UA
dc.identifier.citationSaddle point excitonic resonances in BiI3 layered single crystals / O.O. Kudryavtsev, M.P. Lisitsa, F.V. Motsnyi, S.V. Virko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 4. — С. 19-22. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 71.35. + z.
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120249
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleSaddle point excitonic resonances in BiI3 layered single crystalsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
04-Kudryavtsev.pdf
Розмір:
167.74 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, № 4