Фізико-технологічні основи осадження тонких ВТНП-плівок YBa₂Cu₃O₇₋δ

Abstract

Виконано ретельні теоретичні й експериментальні дослідження та модернізацію окремих процесів лазерної та магнетронної метод осадження з метою створення YBa₂Cu₃O₇₋δ плівок та бар’єрних шарів CeО₂ з контрольованою кристалічною структурою і високими надпровідними властивостями плівок YBa₂Cu₃O₇₋δ. У результаті роботи розроблено фізико-технологічні основи процесу одержання надпровідних плівок YBa₂Cu₃O₇₋δ на діелектричних (сапфірових) підложжях із використанням бар’єрного шару CeО₂, як методою двопроменевого лазерного осадження, так і магнетронного розпорошення.

Проведены тщательные теоретические и экспериментальные исследования и модернизация отдельных процессов лазерного и магнетронного методов осаждения с целью создания YBa₂Cu₃O₇₋δ пленок и барьерных слоев СеО₂ с контролируемой кристаллической структурой и высокими сверхпроводящими свойствами пленок YBa₂Cu₃O₇₋δ. В результате работы разработаны физико-технологические основы получения сверхпроводящих пленок YBa₂Cu₃O₇₋δ на диэлектрических (сапфировых) подложках с использованием барьерного слоя CeО₂, как методом двухлучевого лазерного осаждения, так и магнетронного распыления.

The careful experimental and theoretical studies followed by a subsequent improvement of high-Tc superconducting YBa₂Cu₃O₇₋δ films’ and buffer CeО₂ layers’ deposition technologies with a use of laser and magnetron deposition techniques are carried out in order to obtain СеО₂-buffered high-Tc superconducting YBa₂Cu₃O₇₋δ films with a controllable crystalline structure and high superconducting properties. As a result of this work, the physical and technological backgrounds of the deposition processes of perfect YBa₂Cu₃O₇₋δ films on dielectric (sapphire) substrates with a use of buffer CeО₂ layers are developed for both two-beam laser and magnetron deposition techniques.