Structural dependence of CsI(Tl) film scintillation properties
dc.contributor.author | Ananenko, A. | |
dc.contributor.author | Fedorov, A. | |
dc.contributor.author | Lebedinsky, A. | |
dc.contributor.author | Mateychenko, P. | |
dc.contributor.author | Tarasov, V. | |
dc.contributor.author | Vidaj, Yu. | |
dc.date.accessioned | 2017-06-04T16:25:11Z | |
dc.date.available | 2017-06-04T16:25:11Z | |
dc.date.issued | 2004 | |
dc.description.abstract | Scintillating CsI(Tl) films were obtained by vacuum deposition on single crystalline LiF substrates and non-orienting glass substrates. Their structure and morphology were examined by X-ray diffraction and scanning electron microscopy. Scintillation properties of films dependent on their structure are discussed. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Structural dependence of CsI(Tl) film scintillation properties / A. Ananenko, A. Fedorov, A. Lebedinsky, P. Mateychenko, V. Tarasov, Yu. Vidaj // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 3. — С. 297-300. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 1560-8034 | |
dc.identifier.other | PACS: 68.55.Jk, 29.40.Mc | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119128 | |
dc.language.iso | en | uk_UA |
dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.title | Structural dependence of CsI(Tl) film scintillation properties | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 14-Ananenko.pdf
- Розмір:
- 509.25 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: