Адсорбційні процеси на поверхні кристалічного кремнію: квантово-хімічний підхід (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 21 жовтня 2015 р.)

Abstract

Сучасним методом квантової хімії (теорія функціонала густини) виконано розрахунки структурних і енергетичних параметрів адсорбційних комплексів О₂, Н₂О та атомарного германію на чітко структурованій грані Si(001). Добре узгодження теоретично отриманих енергетичних характеристик розглянутих об’єктів з експериментальними даними дає підстави вважати, що їх геометричні параметри, які неможливо встановити дослідним шляхом, вірно відтворюються методами квантової хімії.

Современным методом квантовой химии (теория функционала плотности) выполнены расчеты структурных и энергетических параметров адсорбционных комплексов О₂, Н₂О и атомарного германия на четко структурированной грани Si(001). Хорошее согласование теоретически полученных энергетических характеристик рассматриваемых объектов с экспериментальными данными дает основания считать, что их геометрические параметры, которые невозможно установить экспериментально, верно воспроизводятся методами квантовой химии.

The structural and energetic parameters for adsorption complexes O₂, H₂O and atomic germanium on clear structured Si(001) face were calculated using the modern quantum chemical method (DFT). The results of theoretical calculations are in the good agreement with experimental data, so there is evidence that geometrical parameters, which can not be established empirically, are correctly reproduced by quantum chemical methods.