Effect of strong magnetic field on surface polaritons in ZnO

dc.contributor.authorVenger, E.F.
dc.contributor.authorIevtushenko, A.I.
dc.contributor.authorMelnichuk, L.Yu.
dc.contributor.authorMelnichuk, O.V.
dc.date.accessioned2017-05-30T06:48:42Z
dc.date.available2017-05-30T06:48:42Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractUsing the attenuated total reflectance technique, we studied the effect of strong uniform magnetic field H on the main properties of surface polaritons in ZnO single crystals. The used orientations were C || y , k ⊥ C , xy || C , H ⊥k , H || y , k x =k , ky,z =0; the free charge carrier concentration varied from 9.3×10¹⁶ up to 2.0 × 10¹⁸ cm⁻³. It has been shown that three dispersion curves exist in the zinc oxide single crystals for the above orientation. The possibility of excitation of an additional dispersion branch in optically anisotropic semiconductors placed into magnetic field is found using ZnO single crystals as an example. The damping coefficients for surface phonon and plasmon-phonon polaritons have been determined.uk_UA
dc.identifier.citationEffect of strong magnetic field on surface polaritons in ZnO / E.F. Venger, A.I. Ievtushenko, L.Yu. Melnichuk, O.V. Melnichuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 3. — С. 314-320. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 71.36.+c, 73.20.Mf
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118392
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleEffect of strong magnetic field on surface polaritons in ZnOuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
18-Venger.pdf
Розмір:
394.5 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: