Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн

Abstract

Представлены результаты исследований и разработки выключателей и переключателей с использованием p—i—n-диодов сосредоточенного типа, обеспечивающих время переключения единицы наносекунд. С целью увеличения развязки в закрытом состоянии (потерь запирания) около 40 дБ в устройствах применено каскадное включение диодов в волноводную и микрополосковую линии передачи на электрической длине θ = π/2. Представлены результаты исследований по созданию коммутационных устройств коротковолновой части миллиметрового диапазона длин волн (f = 300 ГГц) с использованием продольно- и поперечно-распределенных p—i—n-структур.

Представлено результати досліджень і розробки вимикачів і перемикачів з використанням p—i—n-діодів скупченого типу, що забезпечують час перемикання на рівні одиниць наносекунд. З метою збільшення втрат запирання (приблизно 40 дБ) в пристроях застосовано каскадне включення діодів в хвилеводну і мікросмугову лінії передачі на електричній довжині θ = π/2. У короткохвильовій частині міліметрового діапазону довжин хвиль (f = 300 ГГц) представлено результати досліджень по створенню комутаційних пристроїв з використанням подовжно- і поперечно-розподілених p—i—n-структур.

The paper presents the results of research and development of concentrated type p—i—n-diodes switches providing the switching time units of nanoseconds. To increase lock losses of (~40 dB) the authors use a cascade connection of diodes into waveguide and microstrip transmission line of θ = π/2 electric length. Investigation results of creation of switching devices using longitudinally and transversely-distributed p—i—n-structures in the shortwave part of the millimeter wavelength range (f = 300 GHz) are presented.