Classification of microdefects in semiconducting silicon

dc.contributor.authorTalanin, V.I.
dc.contributor.authorTalanin, I.E.
dc.date.accessioned2017-05-28T16:39:55Z
dc.date.available2017-05-28T16:39:55Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractOn the basis of experimental analysis (preferential etching, transmission electron microscopy) of the dislocation-free silicon single crystals grown by floating-zone method (FZ-Si) and Czochralski method (Cz-Si), a classification of grown-in microdefects was compiled. The suggested classification is founded on the heterogeneous formation mechanism of grown-in microdefects, which was justified earlier by us. The suggested classification is valid for crystals of either small or large diameter.uk_UA
dc.identifier.citationClassification of microdefects in semiconducting silicon / V.I. Talanin, I.E. Talanin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 431-436. — Бібліогр.: 40 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 61.72.Bb; 61.72.Ji; 61.72.Yx
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118081
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleClassification of microdefects in semiconducting siliconuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
02-Talanin.pdf
Розмір:
651.05 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: