Bi₂Te₃-хSex 〈Ag〉 (х = 0.04) nanocrystal formation

dc.contributor.authorAleskerov, F.K.
dc.contributor.authorKahramanov, S.K.
dc.contributor.authorAsadov, М.М.
dc.contributor.authorKahramanov, K.S.
dc.date.accessioned2017-05-30T17:15:00Z
dc.date.available2017-05-30T17:15:00Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractThe results of experimental researches dealing with formation of nanometricsize doped (Ag) layers on the surface (0001) between Te⁽¹⁾–Te⁽¹⁾ telluride quintet layers in Bi₂Te₃-хSex 〈Ag〉 (х = 0.04) crystals under directed crystallization has been submitted. During the crystal growth as result of impurity diffusion along a surface (0001), accumulation, redistribution and nanocrystal formation between Te⁽¹⁾–Te⁽¹⁾ layers occur. By the method of atomic-force microscopy, the Bi₂Te₃-хSex 〈Ag〉 crystal images with nanolayers were obtained. Being based on experimental data, the fractal dimension of nanocrystalline layers was estimated.uk_UA
dc.identifier.citationBi₂Te₃-хSex 〈Ag〉 (х = 0.04) nanocrystal formation / F.K. Aleskerov, S.K. Kahramanov, М.М. Asadov, K.S. Kahramanov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 1. — С. 72-76. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 81.05.Hd, 81.05.Ys, 81.10.Dn
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118605
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleBi₂Te₃-хSex 〈Ag〉 (х = 0.04) nanocrystal formationuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
8-Aleskerov.pdf
Розмір:
548.46 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: