СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн

Abstract

Приведены результаты оптимизации конструкции и технологии изготовления СВЧ полевых транзисторов средней мощности с рабочей частотой в диапазоне 18-36 ГГц на эпитаксиальных структурах GaAs. Выходная мощность транзисторов около 100 мВт на 1 дБ компрессии, коэффициент шума не более 3,0 дБ, коэффициент усиления по мощности при этом не менее 4 и 7 дБ на частотах 36 и 18 ГГц, соответственно. Описана конструкция измерительных устройств и методика исследования этих параметров в короткой части сантиметрового и в миллиметровом диапазоне длин волн.