Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКовтун, Г.П.
dc.contributor.authorКравченко, А.И.
dc.contributor.authorКондрик, А.И.
dc.date.accessioned2014-01-22T23:08:44Z
dc.date.available2014-01-22T23:08:44Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractУстановлено существование оптимального значения теплопроводности, при котором достигается наиболее равномерное распределение модуля температурного градиента на фронте кристаллизации.uk_UA
dc.identifier.citationТемпературное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 5-7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53564
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы для микроэлектроникиuk_UA
dc.titleТемпературное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращиванииuk_UA
dc.title.alternativeТемпературне поле у кристалі ітрій-алюміієвого гранату при двостадійному вирощуванніuk_UA
dc.title.alternativeTemperature field in Y₃Al₅O₁₂:Nd garnet crystal at two-phase growthuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
02-Kovtun.pdf
Розмір:
113.87 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 3