Особливості зміни мікромеханічних характеристик кремнію при комбінованій дії магнетного поля та малих доз Рентґенового випромінення

Abstract

В роботі досліджуються зміни мікромеханічних характеристик кристалів кремнію, стимульовані окремою та комбінованою дією низькоенергетичного малодозового Рентґенового випромінення (D=10² Ґр) та слабкого (В=0,17 Тл) постійного магнетного поля. Показано, що застосування комбінованого впливу малих доз Рентґенового опромінення та слабкого магнетного поля призводить до взаємного знищення радіяційномеханічного та магнетомеханічного ефектів, які спостерігаються при окремій дії зазначених чинників. Це пов’язується з особливостями характеру дислокаційно-домішкової взаємодії при застосуванні окремих та подвійних оброблянь.

В работе исследуются изменения микромеханических характеристик кристаллов кремния, стимулированные отдельным и комбинированным действием низкоэнергетического малодозового рентгеновского излучения (D=10² Гр) и слабого (В=0,17 Тл) постоянного магнитного поля. Показано, что применение комбинированного воздействия малых доз рентгеновского облучения и слабого магнитного поля приводит к взаимному уничтожению радиационномеханического и магнитомеханического эффектов, которые наблюдаются при раздельном действии указанных факторов. Это связывается с особенностями характера дислокационно-примесного взаимодействия при использовании отдельных и двойных обработок.

The changes of micromechanical characteristics in silicon crystals stimulated by separate and combined actions of low-energy X-rays (D=10² Gy) and weak (В=0.17 Т) static magnetic field are investigated. As shown, the use of the combined influence of low-energy X-rays and a weak magnetic field leads to mutual annihilation of radiation-mechanical and magnetomechanical effects as opposed to individual action of these factors. These features are associated with the nature of dislocation—impurity interaction under separate and dual treatments.