Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВитрихівський, М.
dc.date.accessioned2015-01-27T20:15:14Z
dc.date.available2015-01-27T20:15:14Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractThe paper is devoted to the technological peculiarities of growing the A²B⁶ needle crystals the solid solutions on its basis as well as silicon crystals originally developed and realized by the author. Physical properties of these materials are explored in dependence on composition and form of growth. These crystals may be used in quantum electronics.uk_UA
dc.identifier.citationГолчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si / М. Витрихівський // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 305-308. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.uk_UA
dc.identifier.issn1563-3569
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75285
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherЗахідний науковий центр НАН України і МОН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofПраці наукового товариства ім. Шевченка
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМіжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"uk_UA
dc.titleГолчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Siuk_UA
dc.title.alternativeТhe needle crystals of Si and A²B⁶ semiconductorsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
25-Vytrykhivskyj.pdf
Розмір:
278.37 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Праці наукового товариства ім. Шевченка, 2011, том 8