Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку

dc.contributor.authorРубцевич, И.И.
dc.contributor.authorСоловьев, Я.А.
dc.contributor.authorВысоцкий, В.Б.
dc.contributor.authorДудкин, А.И.
dc.contributor.authorКовальчук, Н.С.
dc.date.accessioned2013-12-11T23:55:52Z
dc.date.available2013-12-11T23:55:52Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractИсследованы режимы осаждения пленок нитрида и оксида кремния методам PECVD. Установлена связь между ключевыми параметрами процесса осаждения и скоростью осаждения, а также уровнем внутренних механических напряжений в пленках.uk_UA
dc.description.abstractПроведено дослідження залежності механічних напруг від режимів осадження плівок нітриду та оксиду кремнію, отриманих методом стимульованого плазмою хімічного осадження шарів з газової фази (PECDV). Встановлено зв'язок між ключовими параметрами осадження, такими як робочий тиск у камері, витрата робочих газів, швидкість осадження та рівень внутрішніх механічних напружень.uk_UA
dc.description.abstractThe research has been carried out on dependence of mechanical stress on the modes of deposition of silicon nitride and oxide films obtained by plasma excited chemical vapour deposition of the layers from the gas phase (PECVD). The connection has been determined between the key parameters of the deposition, such as operating pressure in the chamber, working gas consumption, deposition rate and the level of internal mechanical stresses.uk_UA
dc.identifier.citationИсследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку / И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, В.Б. Высоцкий, А.И. Дудкин, Н.С. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 29-32. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51834
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы электроникиuk_UA
dc.titleИсследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложкуuk_UA
dc.title.alternativeДослідження властивостей плівок нітриду та оксиду кремнію, отриманих методом плазмохімічного осадження на кремнієву підкладкуuk_UA
dc.title.alternativeInvestigation of properties of nitride and silicon oxide films grown by plasma-chemical deposition on a silicon substrateuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
06-Rubtsevich.pdf
Розмір:
143.74 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: