Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
| dc.contributor.author | Рубцевич, И.И. | |
| dc.contributor.author | Соловьев, Я.А. | |
| dc.contributor.author | Высоцкий, В.Б. | |
| dc.contributor.author | Дудкин, А.И. | |
| dc.contributor.author | Ковальчук, Н.С. | |
| dc.date.accessioned | 2013-12-11T23:55:52Z | |
| dc.date.available | 2013-12-11T23:55:52Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.description.abstract | Исследованы режимы осаждения пленок нитрида и оксида кремния методам PECVD. Установлена связь между ключевыми параметрами процесса осаждения и скоростью осаждения, а также уровнем внутренних механических напряжений в пленках. | uk_UA |
| dc.description.abstract | Проведено дослідження залежності механічних напруг від режимів осадження плівок нітриду та оксиду кремнію, отриманих методом стимульованого плазмою хімічного осадження шарів з газової фази (PECDV). Встановлено зв'язок між ключовими параметрами осадження, такими як робочий тиск у камері, витрата робочих газів, швидкість осадження та рівень внутрішніх механічних напружень. | uk_UA |
| dc.description.abstract | The research has been carried out on dependence of mechanical stress on the modes of deposition of silicon nitride and oxide films obtained by plasma excited chemical vapour deposition of the layers from the gas phase (PECVD). The connection has been determined between the key parameters of the deposition, such as operating pressure in the chamber, working gas consumption, deposition rate and the level of internal mechanical stresses. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку / И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, В.Б. Высоцкий, А.И. Дудкин, Н.С. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 29-32. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 2225-5818 | |
| dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51834 | |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.subject | Материалы электроники | uk_UA |
| dc.title | Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку | uk_UA |
| dc.title.alternative | Дослідження властивостей плівок нітриду та оксиду кремнію, отриманих методом плазмохімічного осадження на кремнієву підкладку | uk_UA |
| dc.title.alternative | Investigation of properties of nitride and silicon oxide films grown by plasma-chemical deposition on a silicon substrate | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 06-Rubtsevich.pdf
- Розмір:
- 143.74 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: