Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field

dc.contributor.authorShtan'ko, A.D.
dc.contributor.authorLitvinova, M.B.
dc.contributor.authorV.V., Kurak
dc.date.accessioned2018-06-12T16:28:39Z
dc.date.available2018-06-12T16:28:39Z
dc.date.issued2010
dc.identifier.citationDecrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field / A.D. Shtan'ko, M.B. Litvinova, V.V. Kurak // Functional Materials. — 2010. — Т. 17, № 1. — С. 46-51. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1027-5495
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134161
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНТК «Інститут монокристалів» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofFunctional Materials
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectCharacterization and propertiesuk_UA
dc.titleDecrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric fielduk_UA
dc.title.alternativeЗниження інтенсивності екситонного випромінювання під впливом слабкого електричного поля у монокристалах компенсованого арсеніду геліюuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
08-Shtan'ko.pdf
Розмір:
288.57 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: