Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБобренко, Ю.Н.
dc.contributor.authorКомащенко, В.Н.
dc.contributor.authorЯрошенко, Н.В.
dc.contributor.authorШереметова, Г.И.
dc.contributor.authorАтдаев, Б.С.
dc.date.accessioned2013-12-07T01:18:52Z
dc.date.available2013-12-07T01:18:52Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractИзучены спектральные, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики тонкопленочных поверхностно-барьерных структур на основе соединений A²B⁶ с разным распределением концентрации носителей в области пространственного заряда, перспективных для использования в качестве ультрафиолетовых фотоприемников.uk_UA
dc.description.abstractВивчено спектральні, вольт-фарадні та вольт-амперні характеристики тонкоплівкових поверхнево-бар'єрних структур на основі сполук A²B⁶ з різним розподілом концентрації носіїв в області просторового заряду, перспективних для використання як ультрафіолетових фотоприймачів.uk_UA
dc.description.abstractThe article presents the study on spectral, capacitancevoltage and current-voltage characteristics of surfacebarrier structures based on A²B⁶ composition with different carrier concentration profiles in space-charge region sensitive to ultraviolet range and perspective for ultraviolet sensor application.uk_UA
dc.identifier.citationВлияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников / Ю.Н. Бобренко, В.Н. Комащенко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621.315.592+621.384.2
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51710
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleВлияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемниковuk_UA
dc.title.alternativeВплив розподілу домішки в базі на фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних УФ-фотоприймачівuk_UA
dc.title.alternativeInfluence of base impurity distribution on the photoelectric properties of surface-barrier UV photodetectorsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
08-Bobrenko.pdf
Розмір:
127.86 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012, № 5