Очистка кремния от фоновых и легирующих примесей при электронно-лучевой бестигельной зонной плавке
dc.contributor.author | Аснис, Е.А. | |
dc.contributor.author | Пискун, Н.В. | |
dc.contributor.author | Статкевич, И.И. | |
dc.date.accessioned | 2016-03-13T19:30:23Z | |
dc.date.available | 2016-03-13T19:30:23Z | |
dc.date.issued | 2011 | |
dc.description.abstract | Приведены данные о влиянии стерильности вакуумной плавильной камеры на содержание фоновых и легирующих примесей в монокристаллах кремния, полученных способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки. | uk_UA |
dc.description.abstract | Data are given about the effect of sterility of vacuum melting chamber on content of background and alloying impurities in silicon single crystals produced by electron beam crucibleless zonal melting. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Очистка кремния от фоновых и легирующих примесей при электронно-лучевой бестигельной зонной плавке / Е.А. Аснис, Н.В. Пискун, И.И. Статкевич // Современная электрометаллургия. — 2011. — № 4 (105). — С. 12-13. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 0233-7681 | |
dc.identifier.udc | 669.187.826 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96283 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Современная электрометаллургия | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Электронно-лучевые процессы | uk_UA |
dc.title | Очистка кремния от фоновых и легирующих примесей при электронно-лучевой бестигельной зонной плавке | uk_UA |
dc.title.alternative | Refining of silicon from background and alloying impurities in electron beam crucibleless zonal melting | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: