Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling

Abstract

In the present paper metal-to-insulator transition with the increase of temperature is studied in a narrow-band model with non-equivalent Hubbard subbands at half-filling. It is shown that the results obtained in the considered model are essentially distinct from those obtained in the Hubbard model. The results are applied to the interpretation of some experimental data.

У цій роботі вивчається температурно-індукований перехід метал-діелектрик у вузькозонній моделі з нееквівалентними габбардівськими підзонами при половинному заповненні. Показано, що результати, отримані у розглядуваній моделі, суттєво відрізняються від результатів моделі Габбарда.