Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
dc.contributor.author | Баранський, П.І. | |
dc.contributor.author | Гайдар, Г.П. | |
dc.date.accessioned | 2017-05-15T15:08:24Z | |
dc.date.available | 2017-05-15T15:08:24Z | |
dc.date.issued | 2016 | |
dc.description.abstract | У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X || J || H || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а також поздовжній тензомагнітоопір у залежності від Х при різних значеннях Н. Запропоновано важливий для практики метод визначення тензомагнітоопору в умовах гранично великих Н і Х за вимірюваннями лише тензоопору (тобто при Н = 0) в широкому інтервалі Х. | uk_UA |
dc.description.sponsorship | In n-Ge crystals at 77 K in the conditions X || J || H || [111], the longitudinal magnetotensoresistance depending on the value of magnetic field H has been investigated for different values of uniaxial stress caused by mechanical compression X, as well as the longitudinal tensomagnetoresistance depending on X has been studied at different values of H. Proposed has been the practically important method for determining the tensomagnetoresistance in conditions of extremely high H and X by using measurements of only tensoresistance (i.e., at Н = 0) in a wide range of X. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 128-134. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 0233-7577 | |
dc.identifier.udc | 621.315.592 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116789 | |
dc.language.iso | uk | uk_UA |
dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.title | Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge | uk_UA |
dc.title.alternative | Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 11-Baranskii.pdf
- Розмір:
- 244.8 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: