Низкотемпературная люминесценция тонких пленок C₆₀ различной структуры

Abstract

Приводятся результаты исследования низкотемпературной (5 К) фотолюминесценции тонких пленок фуллерита C₆₀ различных структур, полученных на монокристаллических подложках NaCl вакуумным осаждением при температурах в интервале 290-400 К. В зависимости от условий осаждения, пленочная структура, которая контролировалась методом стандартной дифракции электронов с высокой степенью передачи (ТЕЕД), варьируется от дезориентированной структуры до ориентированной структуры с различными средними размерами микрокристаллов. Влияние структуры пленки на спектральную полосу фотолюминесценции фуллерита, связанное с люминесценцией структурных дефектов (X-traps), объясняется особенностями переноса и захвата когерентных синглетных экситонов в монокристаллах разных размеров.

We present the results of investigation of low-temperature (5 K) photoluminescence of thin fullerite C₆₀ films of various structures obtained on monocrystalline NaCl substrates by vacuum deposition at temperatures in the interval 290–400 K. Depending on the conditions of deposition, the film structure, which was controlled by the standard transmission high-energy electron diffraction (THEED) technique, varies from a disoriented structure to an oriented structure with different average sizes of microcrystals. The effect of the film structure on the photoluminescence spectral band of fullerite, associated with the luminescence of structural defects (X -traps), is attributed to the peculiarities of transport and capture of coherent singlet excitons in single crystals of various sizes.