Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКовалюк, З.Д.
dc.contributor.authorМахний, В.П.
dc.contributor.authorЯнчук, А.И.
dc.date.accessioned2014-11-09T07:33:50Z
dc.date.available2014-11-09T07:33:50Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractАнализируются электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p—n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждается влияние параметров базовых материалов на основные технические характеристики и параметры диодов, а также возможные пути их улучшения.uk_UA
dc.description.abstractThe forming mechanisms of dark and light properties straightening structures with different type based on the indium and gallium monoselenides were considered.uk_UA
dc.identifier.citationФотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия / З.Д. Ковалюк, В.П. Махний, А.И. Янчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 42-44. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70612
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectОптоэлектроникаuk_UA
dc.titleФотодиоды на основе моноселенидов индия и галлияuk_UA
dc.title.alternativePhotodiodes based on indium and gallium monoselenidesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
12-Kovalyuk.pdf
Розмір:
219.01 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 2