Optical properties and fine faulty structure of sapphire crystals grown in low pressure CO gas atmosphere

dc.contributor.authorPuzikov, V.M.
dc.contributor.authorDanko, A.Ya.
dc.contributor.authorAdonkin, G.T.
dc.contributor.authorSidelnikova, N.S.
dc.contributor.authorTkachenko, V.F.
dc.contributor.authorBudnikov, A.T.
dc.date.accessioned2017-06-13T14:26:34Z
dc.date.available2017-06-13T14:26:34Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractPresented in this paper are the results of the study of optical characteristics and fine faulty structure of big sapphire crystals grown in a CO-based low pressure (0.1...0.3 torr) gas atmosphere. Optimal conditions for annealing optical elements of such crystals have been determined. They provide high transparency of crystals in the UV region and their high resistance to the UV radiation. A perspectivity of using CO medium for growing big sapphire crystals of high optical and structure quality has been confirmed.uk_UA
dc.identifier.citationOptical properties and fine faulty structure of sapphire crystals grown in low pressure CO gas atmosphere/ V.M.Puzikov, A.Ya.Danko, G.T.Adonkin, N.S.Sidelnikova, V.F.Tkachenko, A.T.Budnikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 2. — С. 185-190. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 78.20.- e, 78.40.- q, 61.60. Nz
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121078
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleOptical properties and fine faulty structure of sapphire crystals grown in low pressure CO gas atmosphereuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
14-Puzikov.pdf
Розмір:
132.77 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: