Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента

Abstract

Рассмотрена внутренняя структура кристаллов алмаза типа IIb, выращенных в системах на основе Fe–Al, легированных бором. Получены топограммы ИК–поглощения пластин и установлена зависимость их зонально-секториальной структуры от ориентации сечения относительно исходного кристалла и условий его выращивания.

Розглянуто внутрішню структуру кристалів алмазу типу IIb, вирощених в системах на основі Fe–Al, легованих бором. Отримано топограмми ІЧ-поглинання пластин і встановлена залежність зонально-секторіальної будови від орієнтації їх перерізу відносно вихідного кристала та умов його вирощування.

We have considered real structure of diamond crystals type IIb, growned in systems based on Fe–Al, doped with boron. Infrared absorption topograph of diamond plates has been obtained and dependence of the structure relative to orientation of the origin crystal and conditions of its grown process has been detected.