Физическая инженерия поверхности, 2012, № 2
Постійний URI цієї колекціїhttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69655
ЗМІСТ
-
Титульная страница и содержание
Литовченко С.В., Береснев В.М., Дробышевская А.А., Турбин П.В.
Силицидные покрытия на молибдене: получение, структура, свойства
Братушка С.Н., Cоколов С.В.
Влияние плазменной обработки и ионной имплантации на свойства и структурно-фазовые изменения в титановых сплавах
Васильев В.В., Стрельницкий В.Е.
Особенности морфологии поверхностей покрытий, наносимых из фильтрованной вакуумно-дуговой катодной плазмы на ферромагнитные подложки
Глазунов Г.П., Пашнев В.К.
Способ диагностики состояния поверхности вакуумной камеры торсатрона Ураган-2М
Погребняк А.Д., Мухаммед А.К.М., Иващенко М.Н., Опанасюк Н.Н., Суджанская И.В.
Структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами CVD и магнетронного распыления
Сичікова Я.О.
Низькорозмірні структури на поверхні фосфіду індію
Ахмадалиев Б.Ж., Полвонов Б.З., Юлдашев Н.Х.
Поляритонная люминесценция в кристаллах типа CdTe c учетом затухания экситонов
Выжол Ю.А., Козлова Л.Г., Муленко И.А., Хомкин А.Л.
Моделирование интенсивности излучения классического гармонического осциллятора в поле случайной силы
Морушко О.В., Будзуляк І.М., Сегін М.Я., Остафійчук Б.К., Ільницький Р.В., Яблонь Л.С., Кисляк О.Р.
Спектри катодолюмінесценції термічно модифікованого ТіО2
Левенец В.В., Омельник А.П., Щур А.А.
Аналитическое представление сечений ионизации К-оболочек лантаноидов ускоренными протонами
Кирилаш А.И., Симченко С.В., Кидалов В.В.
Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний
Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каманов Б.М., Гиясова Ф.А.
Фототранзистор составной на полевых транзисторах
Абдулхаев О.А., Гиясова Ф.А., Ёдгорова Д.М., Каманов Б.М., Каримов А.В.
Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
*******
Правила оформления рукописей
Тематические направления