Физика низких температур, 2006, № 02
Постійний URI цієї колекціїhttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117375
ЗМІСТ
СВЕPХПPОВОДИМОСТЬ, В ТОМ ЧИСЛЕ ВЫСОКОТЕМПЕPАТУPНАЯ-
Соловьев А.Л., Дмитриев В.М
Исследование псевдощели в пленках YBCO резистивным методом с учетом перехода от БКШ к бозе-эйнштейновской конденсации
Gvozdikov V.M., Wosnitza J.
Incoherent interlayer electron hopping as a possible reason for enhanced magnetic quantum oscillations in the mixed state of a layered organic superconductor
-
Калита В.М., Локтев В.М.
Квантовые фазовые переходы и фазовая H–T диаграмма ван-флековского многоподрешеточного антиферромагнетика
Вахитов Р.М., Гареева Е.Р., Вахитова М.М.
Процессы зародышеобразования при спин-переориентационных фазовых переходах в реальных кристаллах
Prokhorov V.G., Komashko V.A., Kaminsky G.G., Lee Y.P., Park S.Y., Hyun Y.H., Svetchnikov V.L., Kim K.W., Rhee J.Y.
Magnetic and transport properties of charge ordered Las0.5Ca0.5MnO3 and La0.4Ca0.6MnO3 films
Янчевский О.З., Товстолыткин А.И., Вьюнов О.И., Белоус А.Г.
Кристаллографические, электрические и магнитные свойства системы La0.7Sr0.3Mn1-xFexO3
-
Mikhaylov V.I., Dyakonov V.P., Zubov E.E., Pashchenko A.V., Varyukhin V.N., Shtaba V.A., Szewczyk A., Abal’oshev A., Piotrowski K., Dyakonov K., Lewandowski S.J., Szymczak H.
Comparison of pressure, magnetic field and excess manganese effects on transport properties of film and bulk ceramic La–Ca manganites
-
Плохотниченко А.М., Степаньян С.Г., Адамович Л., Карачевцев В.А.
Водородносвязанные комплексы 2-аминопиримидин–парабензохинон в аргоновой матрице
Zvyagin A.A.
Effect of doping on the magnetic ordering of quasi-one-dimensional antiferromagnets
-
Gnezdilov V., Choi K.-Y., Pashkevich Yu., Lemmens P., Shiryaev S., Bychkov G., Barilo S., Fomin V., Yeremenko A.V.
Low temperature mixed spin state of Co3+ in LaCoO3 evidenced from Jahn–Teller lattice distortions
-
Паль-Валь П.П., Нацик В.Д., Паль-Валь В.Н.
Динамические модули упругости ниобия при низких температурах: температурные зависимости в нормальном состоянии, влияние сверхпроводящего перехода, дислокационные эффекты