Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013, № 1
Постійний URI цієї колекціїhttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51732
ЗМІСТ
ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА-
Максименко Л.С., Мищук О.Н., Матяш И.Е., Сердега Б.К., Костин Е.Г., Полозов Б.П., Федорович О.А., Савинков Г.К.
Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Гиясова Ф.А., Мирджалилова М.А., Асанова Г.О., Абдулхаев О.А., Мухутдинов Ж.Ф.
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
-
Попов В.П., Сидоренко В.П.
Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
-
Алексеик Е.С., Кравец В.Ю.
Система отвода теплоты от теплонагруженных элементов РЭА на основе пульсационной тепловой трубы
-
Кудрик Я.Я., Бигу Р.И., Кудрик Р.Я.
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
Динев Д.А., Жора В.Д., Григорьева Н.Н., Грунянская В.П.
Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
Томашик З.Ф., Стратийчук И.Б., Томашик В.Н., Будзуляк С.И., Гнатив И.И., Комар В.К., Дубина Н.Г., Лоцъко А.П., Корбутяк Д.В., Демчина Л.А., Вахняк Н.Д.
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
-
Мостовой А.И., Брус В.В., Марьянчук П.Д., Ульяницкий К.С.
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe