Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011, № 6
Постійний URI цієї колекціїhttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51810
ЗМІСТ
ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА: ИССЛЕДОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ СИСТЕМЫ ПЕРЕДАЧИ И ОБРАБОТКИ СИГНАЛОВ-
Липинский А.Ю., Рудякова А.Н., Данилов В.В.
Фоторефрактивные кристаллы в запоминающих устройствах оптоэлектронных процессоров корреляционного типа
-
Алтухов А.А., Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В.
Модель алмазного транзистора
Ковальчук В.А., Севастьянов В.В.
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
-
Щербакова Г.Ю., Дилевский А.А., Крылов В.Н., Логвинов О.В., Плачинда О.Е.
Повышение помехоустойчивости бинаризации изображений фотошаблонов в пространстве вейвлет-преобразования
Павлович И.И., Томашик З.Ф., Томашик В.Н., Стратийчук И.Б.
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
Попов В.М., Клименко А.С., Поканевич А.П., Самотовка В.Л.
Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
-
Нелюба П.Л.
Особенности конденсации фуллеренов из молекулярного пучка в вакууме
Кузенко Д.В., Бажин А.И., Ступак В.А., Кисель Н.Г., Дорофеева В.В., Старшинов И.Н., Покинтелица А.Е.
Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O₃
Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каримов А.А., Асанова Г.О.
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p⁺–p–n⁺-структуры
-
Короткий В.П., Ильин В.Н.
Измерительный преобразователь, индифферентный к хаотическому возбуждению чувствительного элемента