Специальный выпуск
XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников

ЗМІСТ

Окулов В.И.
XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников

ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СИСТЕМ

Долгополов В.Т.
Двумерные электронные системы с сильным взаимодействием в кремниевых полевых структурах

Kikoin K.
Tunneling and magnetic properties of triple quantum dots

Демиховский В.Я., Хомицкий Д.В., Перов А.А.
Периодические структуры со спин-орбитальным взаимодействием

Новокшонов С.Г.
Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках

Ляпилин И.И., Патраков А.Е.
Осцилляции спиновой поляризации в двумерной системе Рашбы в квантующем магнитном поле

Ляпилин И.И., Патраков А.Е.
Осцилляции фотопроводимости двумерной системы Рашбы в переменном магнитном поле

Березовец В.А., Моисеев К.Д., Нижанковский В.И., Михайлова М.П., Парфеньев Р.В., Яковлев Ю.П.
Вертикальный транспорт в разъединенном гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs

Arapov Yu.G., Harus G.I., Karskanov I.V., Neverov V.N., Shelushinina N.G., Yakunin M.V., Kuznetsov O.A., Ponomarenko L., de Visser A.
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge_1-xSi_x heterostructures with low hole mobility

Якунин М.В., Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Подгорных С.М., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Звонков Б.Н., Ускова Е.А.
Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-In_xGa_1-xAs/GaAs в наклонных магнитных полях

Арапов Ю.Г., Якунин М.В., Гудина С.В., Карсканов И.В., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Подгорных С.М., Звонков Б.Н., Ускова Е.А.
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами

Арапов Ю.Г., Гудина С.В., Карсканов И.В., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г.
Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge_1-xSi_x

СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ПЕРЕХОДНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ

Лашкарев Г.В., Радченко М.В., Карпина В.А., Сичковский В.И.
Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники как материалы спиновой электроники

Кульбачинский В.А., Гурин П.В., Тарасов П.М., Давыдов А.Б., Данилов Ю.А., Вихрова О.В.
Транспорт, магнитотранспорт и ферромагнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках

Sankowski P., Kacman P., Majewski J.A., Dietl T.
Vertical spin transport in semiconductor heterostructures

Godlewski M., Yatsunenko S., Ivanov V.Yu., Drozdowicz-Tomsia K., Goldys E.M., Phillips M.R., Klar P.J., Heimbrodt W.
Mechanisms of enhancement of light emission in nanostructures of II-VI compounds doped with manganese

Гудков В.В., Лончаков А.Т., Соколов В.И., Жевстовских И.В.
Время релаксации, динамический, релаксированный и нерелаксированный модули упругости в ZnSe:Cr, исследованные с помощью ультразвуковых волн

Соколов В.И., Лончаков А.Т., Подгорных С.М., Дубинин С.Ф., Теплоухов С.Г., Пархоменко В.Д., Груздев Н.Б.
Эффект Яна-Теллера и сдвиговые деформации решетки в твердых растворах Zn_1-xМ_xSe

Окулов В.И., Говоркова Т.Е., Гудков В.В., Жевстовских И.В., Королев А.В., Лончаков А.Т., Окулова К.А., Памятных Е.А., Паранчич С.Ю.
Низкотемпературные эффекты резонансных электронных состояний на примесях переходных элементов в кинетических, магнитных и акустических свойствах полупроводников

Robouch B.V., Kisiel A.,Marcelli A., Sheregii E.M., Cestelli Guidi M., Piccinini M., Polit J., Cebulski J., Mycielski A., Ivanov-Omskii V.I., Sciesinska E., J. Sciesinski, Burattini E.
Statistical model analysis of local structure of quaternary sphalerite crystals

Агзамова П.А., Лескова Ю.В., Никифоров А.Е., Гончарь Л.Э., Попов С.Э.
Сверхтонкие взаимодействия на ядре иона лантана в соединении LaMnO₃

Можегоров А.А., Гончарь Л.Э., Никифоров А.Е.
Антиферромагнитный резонанс в LaMnO₃

НОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ И СИСТЕМЫ

Moskvin A.S.
Charge states of strongly correlated 3d oxides: from typical insulator to unconventional electron-hole Bose liquid

Митин А.В.
Анализ процессов самоорганизации дырочных состояний в купратах и особенности их проявлений в YBa₂Cu₃O_6+d

Ткач А.В., Пономарев А.И., Чарикова Т.Б., Ташлыков А.О., Кожевников В.Л.
Электросопротивление и магнитные свойства керамик двойного допирования La_1,85-4/3xSr_0,15+4/3xCu_1-xMn_xO₄

Нейфельд Э.А., Архипов В.Е., Угрюмова Н.А., Королев А.В., Муковский Я.М.
Влияние магнитных взаимодействий на энергию активации поляронной прыжковой проводимости в парамагнитной фазе монокристаллического манганита Eu_0,6Sr_0,4MnO₃

Буряков Т.И., Романенко А.И., Аникеева О.Б., Окотруб А.В., Юданов Н.Ф., Котосонов А.С.
Электрофизические свойства низкоразмерных углеродных структур, интеркалированных бромом

Ткачев Е.Н., Романенко А.И., Аникеева О.Б., Кузнецов В.Л., Усольцева А.Н.
Эффекты электрон-электронного взаимодействия в многослойных углеродных нанотрубках

Якимчук А.В., Заикина Ю.В., Решетова Л.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р., Шевельков А.В.
Импеданс полупроводниковых клатратов Sn₂₄P_19,3Br_xI_8-x

Хейфец О.Л., Бабушкин А.Н., Шабашова О.А., Мельникова Н.В.
Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS_3xSe_3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9)

Аверкиев Н.С., Шерстнев В.В., Монахов A.М., Гребенщикова Е.А., Кислякова А.Ю., Яковлев Ю.П., Krier А., Wright D.A.
Физические принципы работы полупроводниковых дисковых лазеров

Knap W., El Fatimy A., Torres J., Teppe F., Orlov M., Gavrilenko V.
Plasma wave resonant detection of terahertz radiations by nanometric transistors