Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006, № 4
Постійний URI цієї колекціїhttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52905
ЗМІСТ
ТЕХНИЧЕСКАЯ ПОЛИТИКА-
Наумов А.В.
Производство фотоэлектрических преобразователей и рынок кремниевого сырья в 2006—2010 гг.
-
Коханов А.Б.
Способ модуляции-демодуляции сигналов с квадратурным изменением угловой компоненты
Янко В.В.
PSpice-моделирование оптико-электронных локаторов
Конников И.А.
Емкость тонкого проводника прямоугольного сечения в микросхеме
-
Максименко Ю.Н., Цвелых Ю.М.
Система контроля выбросов токсичных газов на теплоэлектростанции
Пашаев Н.М.
Ультразвуковой пьезокерамический преобразователь
-
Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Болтаева Ш.Ш., Зоирова Л.Х.
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
Горев Н.Б., Коджеспирова И.Ф., Привалов Е.Н.
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
Добровольский Ю.Г.
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
Ащеулов А.А., Гуцул И.В., Фотий В.Д.
Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
Леонов Н.И., Лемешевская А.М., Дудар Н.Л., Гетьман С.Н.
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
-
Рассамакин Б.М., Рогачёв В.А., Хайрнасов С.М.
Кулеры на тепловых трубах для теплонагруженных компонентов персональных компьютеров
-
Паэранд Ю.Э., Бондаренко А.Ф.
Источник питания для контактной микросварки с программируемой формой сварочного импульса
Никитинский В.А., Журавлев Б.И.
Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Юлдашев Ш.Ш., Болтаева Ш.Ш.
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
-
Жавжаров Е.Л., Матюшин В.М.
Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния