Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012, № 5

ЗМІСТ

Титульные страницы и содержание

ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА: ИССЛЕДОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ

Спирин В.Г.
Многоуровневые платы с толстопленочной полимерной изоляцией

Оборский Г.А., Ковальков В.И., Тихенко В.Н., Слободяник П.Т.
Светодиодные показывающие электроизмерительные устройства на многопороговых компараторах

Ермоленко Е.А., Бондаренко А.Ф., Баранов А.Н.
Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом

СЕНСОЭЛЕКТРОНИКА

Дружинин А.А., Островский И.П., Ховерко Ю.Н., Ничкало С.И., Корецкий Р.Н.
Нанокристаллы Si_1–xGe_xв роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры

ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА

Солодуха В.А., Турцевич А.С., Соловьёв Я.А., Рубцевич И.И., Керенцев А.Ф.
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества

Семенов А.В., Козловский А.А., Пузиков В.М.
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si

Добровольский Ю.Г.
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра

Бобренко Ю.Н., Комащенко В.Н., Ярошенко Н.В., Шереметова Г.И., Атдаев Б.С.
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ И ОБОРУДОВАНИЕ

Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В., Духновский М.П., Хмельницкий Р.А.
Технология создания легированных бором слоев на алмазе

Турцевич А.С., Рубцевич И.И., Соловьев Я.А., Васьков О.С., Кононенко В.К., Нисс В.С., Керенце А.Ф.
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром

Дранчук С.Н., Завадский В.А., Мокрицкий В.А.
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем

*****
Список рецензентов номера