Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011, № 1-2
Постійний URI цієї колекціїhttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51750
ЗМІСТ
ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА: ИССЛЕДОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ-
Дементьев С.Г., Ключник Н.Т., Кузнецов В.А., Яковлев М.Я.
Волоконно-оптические демультиплексоры с повышенной стойкостью к механическим воздействиям
Дзензерский В.А., Беда М.А., Житник Н.Е., Лесничий В.Н., Плаксин С.В., Ткаченко Ю.А.
Автоматизированная диагностика химических источников тока
-
Дружинин А.А., Островский И.П., Ховерко Ю.Н., Литовченко П.Г., Павловская Н.Т., Павловский Ю.В., Цмоць В.М., Поварчук В.Ю.
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
Ушенин Ю.В., Самойлов А.В., Христосенко Р.В.
Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
Ревенюк Т.А., Федосов С.Н.
Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида
Девятко Г.А., Кучменко В.А., Лацис С.А., Орлов М.А., Партышев В.А., Подольский В.Я.
Автотрассовый газоанализатор
-
Смынтына В.А., Кулинич О.А., Яцунский И.Р., Марчук И.А.
Роль пластической деформации в получении нанокремния
Каримов А.В., Джураев Д.Р., Ёдгорова Д.М., Рахматов А.З., Абдулхаев О.А., Каманов Б.М., Тураев А.А.
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
-
Гаврыш В.И., Косач А.И.
Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
Шило Г.Н., Огренич Е.В., Гапоненко Н.П.
Проектирование радиаторов с оптимальными массогабаритными параметрами
Гершуни А.Н., Нищик А.П.
Система охлаждения испарительно-конденсационного типа для рентгеновских трубок
Сочеслав Д.П.
Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обеспечивающий минимальную интенсивность отказов
-
Дудин С.В., Лисовский В.А., Дахов А.Н., Плетнёв В.М.
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
Александров С.Б., Крупальник К.М., Корнилов Н.А., Кондратьева Т.А.
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A3B5
-
Самойлович М.И., Ринкевич А.Б., Белянин А.Ф., Пащенко П.В.
3D-нанокомпозиты — опаловые матрицы с включениями металлического Со и слоистые структуры «опаловая матрица — Co/Ir»
Катрунов К.А., Лалаянц А.И., Гальчинецкий Л.П., Старжинский Н.Г., Жуков А.В., Галкин С.Н., Брылёва Е., Зеня И.М., Трубаева О.Г.
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
-
Болтовец Н.С., Мальцев С.Б.
Развитие полупроводниковых СВЧ-технологий в НИИ «Орион» (к пятидесятилетию НИИ «Орион»)