Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа

Abstract

Приведены экспериментальные результаты исследований вольт-амперных, люкс-амперных и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа со сверхтонкой газоразрядной ячейкой. В качества источника света использовался осветитель типа ОИ-24. Изменение интенсивности излучения, попадающего на вход системы, осуществлялось набором сеточных калиброванных фильтров. Рабочий диапазон спектра излучений и устранение фоновой засветки обеспечивались с помощью набора интерференционных и полупроводниковых светофильтров.Наведено експериментальні результати досліджень вольт-амперних, люкс-амперних і фотографічних характеристик напівпровідникової фотографічної системи іонізаційного типу з надтонким газорозрядним осередком. В якості джерела світла застосовувався освітлювач типу ОИ-24. Змінювання інтенсивності випромінювання, що потрапляє на вхід системи, здійснювалося набором сіткових каліброваних фільтрів. Робочий діапазон спектра випромінювань і усунення фонової засвітки забезпечувалися за допомогою набору інтерференційних і напівпровідникових світлофільтрів.In work are brought results of the experimental studies of the current-voltage, photovoltaic and semiconductor ampere characteristics of photographic systems ionization type. The light source used illuminator OI-24 type. Changing the intensity of the radiation incident on the input of the system, carried out a set of grid calibrated filters. The working range of the spectrum of radiation and eliminating backlight were provided with a set of interference filters and semiconductor.