Doped nanoparticles for optoelectronics applications
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Анотація
Nanoparticles of wide band gap materials doped with transition metal ions or rare earth ions are intensively studied for their possible applications in a new generation of light sources for an overhead illumination. In this work we discuss mechanisms of emission enhancement in nanoparticles doped with rare earth or/and transition metal ions. Arguments are presented that phosphors of nanosize may emit light more efficiently and thus be applied in practical optoelectronic devices.
Опис
Теми
XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Цитування
Doped nanoparticles for optoelectronics applications / M. Godlewski, E. Wolska, S. Yatsunenko // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 64-69. — Бібліогр.: 28 назв. — англ.