Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України

Анотація

У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X || J || H || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а також поздовжній тензомагнітоопір у залежності від Х при різних значеннях Н. Запропоновано важливий для практики метод визначення тензомагнітоопору в умовах гранично великих Н і Х за вимірюваннями лише тензоопору (тобто при Н = 0) в широкому інтервалі Х.

Опис

Теми

Цитування

Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 128-134. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced