Simple method for SiC nanowires fabrication
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
In this work, we introduce a simple and convenient approach for growing SiC nanowires (SiCNWs) directly on carbon source from graphite. The commercial SiO powder and the cheap common graphite were used as the source materials. SiCNWs have been synthesized during holding time less than 60-80 min at 1450-1500 °C by using a simple and low-cost method in an industrial furnace with a resistant heater.
Опис
Теми
Цитування
Simple method for SiC nanowires fabrication/ V.S. Kiselov, O.S. Lytvyn, V.O. Yukhymchuk, A.E. Belyaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 1. — С. 7-11. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.