Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
The electron mobility of GaN has been obtained at various temperatures by the
relaxation time approximation method. The effect of dislocation scattering has also been
discussed and calculated alongwith other important scattering mechanisms in this
material. The results agree with other available experimental and theoretical data.
Опис
Теми
Цитування
Calculation of electron mobility and effect
of dislocation scattering in GaN / J. Kundu, C.K. Sarkar, P.S. Mallick // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 1. — С. 1-3. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.