Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Novel model of the diluted magnetic semiconductors (DMS) А₁₋xMnxВ possessing the
metallic conductivity is proposed. Using the coherent potential technique the electron scattering
by the randomly distributed Mn centers is taken into account. The exchange scattering of the
electron spin by the localized magnetic mo exactly basing on the
spin-polaron limit for the Vonsovskii Hamiltonian.
Опис
Теми
Цитування
Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors / V.Р. Bryksa, G.G. Tarasov, W.T. Masselink, W. Nolting, Yu.I. Mazur, G.J. Salamo // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 2. — С. 119-128. — Бібліогр.: 42 назв. — англ.