Properties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
CdTe thin films were grown on different substrates: BaF₂ (111), polished Si (100), SiO₂, bulk CdTe (110) and HgxCd₁₋xTe layers by hot wall epitaxy (HWE). Chosen temperature parame-ters and technological process of thin film fabrication provided the growth rate of about 0.03 mm/min. The current-voltage characteristics and transmission spectra were measured. X-ray diffrac-tion data (XRD) measurements were carried out as well.
Опис
Теми
Цитування
Properties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy / Ye.O. Bilevych, A.I. Boka, L.O. Darchuk, J.V. Gumenjuk-Sichevska, F.F. Sizov, O. Boelling, B. Sulkio-Cleff // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 2. — С. 129-132. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.