Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
Завантаження...
Файли
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Using the isovalent substitution method, CdSe heterolayers of cubic
modification were obtained for the first time on single-crystal CdTe substrates, and their
basic physical properties were studied.
Опис
Теми
Цитування
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates / V.P. Makhniy, М.М. Slyotov, I.V. Tkachenko, А.М. Slyotov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 4. — С. 338-339. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.