X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України

Анотація

Comparative analysis of the X-ray dosimetric characteristics of CdGa₂S₄ and CdGa₂S₄<Cu> single crystals demonstrates that after copper-doping the persistence of the crystal characteristics completely disappears. The current-dose characteristics Ir ~ E tend to linearity (α = 1) at low dose rates of X-rays. At high dose rates, α tends to 0.5, which testifies to the mechanism of quadratic recombination of charge carriers generated by X-rays in CdGa₂S₄<Cu>.

Опис

Теми

Цитування

X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals / S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov, D.T. Guseinov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 4. — С. 358-359. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced