X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Comparative analysis of the X-ray dosimetric characteristics of CdGa₂S₄ and
CdGa₂S₄<Cu> single crystals demonstrates that after copper-doping the persistence of the
crystal characteristics completely disappears. The current-dose characteristics Ir ~ E
tend to linearity (α = 1) at low dose rates of X-rays. At high dose rates, α tends to 0.5,
which testifies to the mechanism of quadratic recombination of charge carriers generated
by X-rays in CdGa₂S₄<Cu>.
Опис
Теми
Цитування
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals / S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov, D.T. Guseinov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 4. — С. 358-359. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.