Divergent-beam X-ray structural studies of a disturbed surface layer in silicon plates
Завантаження...
Файли
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
A Kossel chamber for reflected-beam X-ray studying of single crystal surfaces has been developed on the basis of a BS-340 scanning electron microscope. We have examined the structure of a disturbed layer of silicon plates after chemico-mechanical polishing. The intensity of X-ray reflection from the lattice planes intersecting a polished surface of a plate characterizes the perfection degree of the disturbed layer, is of a periodic nature and exhibits a tendency to damp deep within the plate.
Опис
Теми
Цитування
Divergent-beam X-ray structural studies of a disturbed surface layer in silicon plates / V.N. Tkach // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 1. — С. 36-38. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.