Pre- and postmelting of cadmium telluride
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
A stepwise character of cadmium telluride melting is shown by using differential thermal analysis and conductivity measurements in the 1323 to 1473 K temperature range. According to the results of differential thermal analysis the parameters of CdTe melting are determined by the premelting processes that are related to defect production in crystal lattice. The crystallization processes are controlled with the melt state (structure) that depends on its maximum temperature.
Опис
Теми
Цитування
Pre- and postmelting of cadmium telluride / L.P. Shcherbak, P.I. Feichouk, Yu.A. Plevachouk, O.V. Kopach, L.T. Turyanska // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 4. — С. 76-80. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.