Annealing-induced formation of Sn₂P₂S₆ crystallites in As₂S₃-based glass matrix

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України

Анотація

Sn–As–P–S glasses were obtained using co-melting of pre-synthesized As₂S₃ and Sn₂P₂S₆. Their structure and composition were confirmed by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, energy dispersive X-ray spectroscopy, and micro-Raman scattering. Crystallization of Sn₂P₂S₆ crystallites from the glass matrix is observed at annealing under relatively low temperatures (410…580 K).

Опис

Теми

Цитування

Annealing-induced formation of Sn₂P₂S₆ crystallites in As₂S₃-based glass matrix / Yu.M. Azhniuk, A.V. Gomonnai, O.O. Gomonnai, S.M. Hasynets, F. Kováč, V.V. Lopushansky, I. Petryshynets, V.M. Rubish, D.R.T. Zahn // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 3. — С. 248-254. — Бібліогр.: 41 назв. — англ.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced