Effect of weak magnetic field on structural arrangement of extrinsic oxygen atoms and mechanical properties of silicon monocrystals
Завантаження...
Файли
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
IR spectroscopy study is indicative of the change in the relative concentration of interstitial oxygen in silicon monocrystals after their treatment by using the magnetic field. This is an evidence of a considerable effect of magnetic field on the defect structure of the investigated crystals.
Опис
Теми
Цитування
Effect of weak magnetic field on structural arrangement of extrinsic oxygen atoms and mechanical properties of silicon monocrystals / V.A. Makara, L.P. Steblenko, Yu.L. Kolchenko, S.M. Naumenko, I.P. Lisovsky, D.O. Mazunov, Yu.Yu. Mokliak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 2. — С. 1-3. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.